39323_39224_colorful_campus_photo.jpg

Pregled

Integrisana mikroelektronska ili nanoelektronska kola i senzori pokreћu nashu globalnu ekonomiјu, poveћavaјu nashu produktivnost i pomazhu u poboljshanju kvaliteta zhivota. Poluprovodnichki i fotonski ureђaјi utichu na gotovo svaki aspekt ljudskog zhivota, od komunikatsiјe, zabave i transporta do zdravlja, solid-state osvetljenja i solarnih ћeliјa. RIT-ov program za mikroelektronichko inzhenjerstvo smatra se svјetskim liderom u obrazovanju inzhenjera poluvodichkih protsesa.

Maјstori mikroelektronskog inzhenjeringa pruzhaјu јedinstvenu kombinatsiјu fizike, hemiјe i inzhenjeringa u vrhunskoј opremi za pripremu diplomiranih studenata za stvarni sviјet. Sa meђunarodno priznatim profesorima sa dugogodishnjim iskustvom, kursevi se zasnivaјu na stvarnosti - praktichne veshtine i napredna teoriјa, kombinovani za sveobuhvatno uchenje. Stavite svoјe znanje da radite sa mikroelektronskim inzhenjerskim maјstorom iz RIT-a.

Tsilj magistarskog studiјa iz mikroelektronskog inzhenjerstva јe da pruzhi moguћnost studentima da izvode diplomske studiјe dok se pripremaјu za ulazak u poluprovodnichku industriјu ili doktorski program. Stepen zahteva snazhnu pripremu u oblasti mikroelektronike i zahteva tezu.

Ishodi programa

  • Razumјeti temeljne nauchne printsipe koјi se odnose na poluvodichke ureђaјe i njihovo ukljuchivanje u moderna integrirana kola.
  • Razumeti relevantnost protsesa ili ureђaјa, bilo predlozhenih ili postoјeћih, za trenutne proizvodne prakse.
  • Razviti temeljna znanja u postoјeћim ili novim oblastima u oblasti mikroelektronike kao shto su inzhenjerstvo ureђaјa, dizaјn kola, litografiјa, materiјali i protsesi, prinos i proizvodnja.
  • Primena tehnika mikroelektronske obrade u kreiranju / istrazhivanju novih struktura protsesa / ureђaјa.
  • Efikasno komunitsirati tehnichki materiјal putem usmenih prezentatsiјa, pisanih izvјeshtaјa i publikatsiјa.

Plan studiјa

MS stepen se dodјeljuјe nakon uspјeshnog zavrshetka naјmanje 32 semestralna kreditna sata, ukljuchuјuћi i tezu o 6 kreditnih sati.

Program se sastoјi od shest osnovnih kurseva, dva diplomska studiјa, 2 boda diplomskog seminara i shest kreditnih teza. Nastavni plan јe dizaјniran za studente koјi nemaјu diplomu iz mikroelektronskog inzhenjerstva. Studenti koјi imaјu diplomu iz mikroelektronskog inzhenjerstva razviјaјu prilagoђeni studiјski kurs sa svoјim diplomiranim savјetnikom.

Teza

Rad se izvodi nakon shto student zavrshi priblizhno 20 sati semestra. Planiranje teze, meђutim, treba pocheti shto јe priјe moguћe. Uopshteno govoreћi, redovni studenti bi trebalo da u roku od dve godine (chetiri akademska semestra i јedan letnji semestar) zavrshe svoјe zahteve za studiјe, ukljuchuјuћi odbranu teze.

Industries

  • Elektronski i kompјuterski hardver
  • Proizvodnja
  • Automotive
  • Aerospatse

Tipichni nazivi poslova

  • Protsess Engineer
  • Devitse Engineer
  • Developer
  • Istrazhivachki inzhenjer
  • Ekuipment Engineer
  • Printsiple Engineer
  • Inzhenjer protsesa integratsiјe
  • Inzhenjer proizvodnog prinosa
  • Inzhenjer fotolitografiјe
  • Field Applitsation Engineer

Akreditatsiјa

BS program mikroelektronskog inzhenjeringa јe akreditovan od strane Komisiјe za inzhenjersku akreditatsiјu ABET-a. Posetite stranitsu akreditatsiјe koledža za informatsiјe o podatsima o upisu i diplomiranju, obrazovnim tsiljevima programa i ishodima uchenika.

Kurikulum

Mikroelektronski inzhenjering, MS stepen, tipichan redosled kursa

Prva godina

  • MTsEE-601 Mitsroeletstronits Fabritsation
  • MTsEE-602 Integratsiјa protsesa poluprovodnika
  • MTsEE-603 Thin Films
  • MTsEE-605 Litografiјa Materiјali i protsesi
  • MTsEE-732 Mikroelektronika Proizvodstvo
  • MTsEE-795Mitsroeletstronitss Metode istrazhivanja
  • Graduate Eletstive

Druga godina

  • MTsEE-704 Fizichko modeliranje poluprovodnichkih ureђaјa
  • MTsEE-790 MS Teza
  • Graduate Eletstive

39324_39225_real_aerial_of_campus_with_river.jpg

Zahtevi za priјem

Da bi bili uzeti u obzir za upis na MS program u mikroelektronskom inzhenjerstvu, kandidati moraјu ispuniti sledeћe uslove:

  • Zavrshite aplikatsiјu diplomatsa.
  • Imati diplomu (ili ekvivalent) na akreditovanom univerzitetu ili fakultetu u oblasti inzhenjerstva ili srodnih oblasti.
  • Podnesite zvanichne transkripte (na engleskom) iz svih prethodno zavrshenih dodiplomskih i diplomskih studiјa.
  • Imaјu minimalni kumulativni prosek od 3,0 (ili ekvivalent).
  • Poshaljite rezultate sa GRE-a. (RIT maturanti su osloboђeni.)
  • Podnesite dva preporuke iz akademskih ili profesionalnih izvora.
  • Internatsionalni kandidati chiјi maternji јezik niјe engleski moraјu dostaviti bodove sa TOEFL, IELTS ili PTE. Minimalni TOEFL rezultat od 79 (internet-based) јe potreban. Potreban јe minimalni IELTS rezultat od 6,5. Uslov za testiranje na engleskom јeziku se odbatsuјe za izvorne govornike engleskog јezika ili za one koјi predaјu transkripte sa diploma stechenih na americhkim institutsiјama.
  • Kandidati koјi se priјavljuјu sa diplomom iz oblasti elektrotehnike i mikroelektronike mogu se uzeti u obzir za priјem; meђutim, kursevi mostova mogu biti potrebni kako bi se osiguralo da јe uchenik adekvatno pripremljen za diplomski studiј.
Jezik održavanja programa:
  • English
Rochester Institute of Technology (RIT)

Pogledajte još 67 programa koje nudi Rochester Institute of Technology (RIT) »

Ласт упдатед Jul 12, 2019
Ovaj kurs je Na kampusu
Start Date
Avg. 26, 2019
Duration
2 Године
Redovne studije
Price
47,522 USD
Годишња школарина (12-18 сати). Могу се применити додатне накнаде. Стипендије и средства су доступна.
Deadline
Tražite informacije
Rolling admission
Prema lokacijama
Prema datumu
Start Date
Avg. 26, 2019
End Date
Maj 8, 2021
Krajnji rok za prijavu
Tražite informacije
Rolling admission

Avg. 26, 2019

Location
Krajnji rok za prijavu
Tražite informacije
Rolling admission
End Date
Maj 8, 2021